为推动我国新型电子元器件产业快速发展，国家计委决定从2002年开始组织实施新型电子元器件产业化专项，专项拟分3年实施。现公告如下：

　　一、新型电子元器件专项产业化目标

　　(一)根据我国在新型电子元器件研究开发方面所具有的技术优势和资源特点，重点支持一批技术水平高、市场前景好的新型电子元器件产品，实现产业技术升级，并尽快形成规模生产。

　　(二)"十五"期间初步形成具有一定自主知识产权和产业优势的新型电子元器件产业体系。通过对我国已有技术和资源优势并在国际市场有竞争力的新型电子元器件产品的重点支持，力争在"十五"期间使国内新型电子元器件产业能够满足国内各行业的需要，并进入国际市场。

　　二、新型电子元器件专项发展重点

　　(一)表面贴装元器件。重点发展片式陶瓷电容器、片式电阻器、片式电感器、片式铝电解电容器、片式石英晶体器件、片式二极管和三极管，以及高密度互连印刷电路板。

　　(二)敏感元器件和传感器。重点发展集成化、阵列化、智能化的传感器和电压敏、热敏及气敏等敏感元器件产品。

　　(三)新型电力电子器件。重点发展功率MOS场效管(VDMOS)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。

　　(四)高频频率器件。重点发展高频声表面波器件、微波介质器件以及其他高频微波元器件和组件。

　　(五)新型机电组件。重点发展高档电声器件、新型继电器、新型电接插元件和组件，以及新型微特电机组件等。

　　(六)新型电源|稳压器。重点发展动力电池、燃料电池和太阳电池等。

　　(七)新型电子材料。重点发展磁性材料、陶瓷材料等。

　　(八)电子专用设备和仪器|仪表。重点发展新型电子元器件装备。

　　其中，2002-2003年专项主要支持以下方面：

　　1、片式分立器件芯片

　　(1)高频晶体管芯片

　　(2)高反压晶体管芯片

　　(3)砷化镓场效应管芯片

　　(4)高速开关管芯片

　　2、0402规格的片式电容器、片式电感器、片式电阻等。

　　3、敏感元器件与传感器

　　(1)低功耗CO气体传感器及报警器

　　(2)温湿度集成传感器及温湿度仪表

　　(3)硅-蓝宝石高温压力传感器及变送器

　　(4)片式热敏电阻器

　　(5)片式压敏电阻器

　　4、新型电力电子器件

　　(1)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和集成门板换流晶闸管(IGCT)模块

　　(2)功率mos场效应管

　　(3)智能化模块(IPM)

　　(4)用户专用功率模块(ASIPM)

　　5、频率器件

　　(1)高精度表面贴装石英晶体谐振器

　　(2)石英晶体温度补偿振荡器

　　(3)无线通信用声表面波器件(SAW)

　　(4)汽车用SAW谐振器

　　6、新型继电器

　　(1)固体继电器

　　(2)通信继电器

　　(3)智能化汽车继电器

　　(4)通用小型电磁继电器

　　7、新型电子元器件专用生产设备、仪器

　　三、具体要求

　　(一)所申报的项目要符合国家计委高技术产业化示范工程的要求，能达到一定的经济规模。对目前还处于研究开发阶段的新型电子元器件产品，不在本专项的受理范围之内。

　　(二)2002年申报的项目，自本公告发布之日起至2002年3月28日止，国务院有关部门和地方计委将所组织的项目建议书(一式十份)、项目简介和项目简表(附软盘)、银行对该项目的贷款意向书等有关文件，报送国家计委。2003年拟上报的项目，请在2002年10月按上述要求上报国家计委。

　　(三)在公告期内，如有需要，请由国务院相关部门及省市计委统一将所申报项目的有关情况向国家计委高技术产业发展司汇报。

　　(四)各项目申报单位要认真做好以下准备工作：项目的必要性，立项意义；项目的技术基础，包括技术创新性、技术可行性和专利、知识产权、权威部门鉴定等情况；项目初步建设方案的可行性，包括技术路线、配套条件等；项目申报单位条件，包括企业的经营业绩、技术开发能力、资产负债及管理者水平等情况；项目的预期效益，包括产业化前景、国内外市场和经济效益等情况。

　　(五)初步定于2002年4月中旬对2002年申报项目进行初评，评选将严格按照国家计委项目评审之有关规定和要求进行。初评通过并参加现场答辩的项目及答辩的具体时间和地点，将在专家初评后另行通知。