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半导体瓷介电容器项目 
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东北投资网 发布日期:2008-6-20 9:34:15

  投资总额:1.3亿美元


  建设期限:3年


  建设内容:占地5.3万平方米,建设半导体瓷片成形技术生产线,半导体瓷片烧结-还原-再氧化技术生产线,半导体瓷片被银电极及烧渗技术生产,半导体电容器装配、检测生产线。


  市场预测 半导体瓷介电容器是指在已半导体化瓷片的表面或半导体瓷体中晶粒间界面上重新氧化而形成极薄的绝缘介质层,其后再在瓷片两面烧渗电极而制成的电容器。它可分为表面层型与晶界层型两大类。它们都具有体积小、比容大等特点,晶界层型半导体瓷介电容器还具有个质损耗小、温度特性和高频特性好的优点。广泛应用于通讯、计算机、电视机、音响、电子玩具、电子仪器等电子整机中,起旁路隔直、滤波、耦合等作用。该项目的建成投产,将给中国的电子产业带来较好的发展前景,同时将带动沈阳经济及电子产业的快速发展。


  经济效益分析:年产半导体电容器瓷片36亿只,年产被银瓷片32亿只,年产半导体瓷介电容器18亿只。达产年产值7.5亿美元,年利税8000万美元。


  合作方式 合资 合作 独资


  联系单位:沈阳市重点项目管理工作办公室


  联 系 人:林先生


  联系电话:86-024-22723117


  传  真:86-024-22734066

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