日常生活中常见的各类电子设备，如手机、电脑、电视和空调等，都依赖于各种芯片所提供的逻辑计算、存储和传感能力。
每一颗芯片的核心都是晶片，由多种规格的晶圆切割而成。晶圆本身存在良率问题，晶圆表面可能存在各类缺陷，为了防止存在缺陷的晶片流入后道工序，需借助光学检测设备（如偏光仪器等等）识别晶圆表面缺陷并分类、标记，辅助晶片分拣。
晶圆分为无图案晶圆（Bare Wafer）和图案晶圆（Patterned wafer )。晶圆表面的缺陷类型很多，既有可能是在加工工艺中产生,也有可能是材料本身的缺陷。采用不同的缺陷检测方式，可以对缺陷进行不同的划分。综合考虑缺陷的物理属性和缺陷检测算法的针对性，缺陷可以简单地分为表面冗余物（颗粒，污染物等），晶体缺陷（滑移线缺陷，堆垛层错），划痕，图案缺陷（针对图案晶圆）。
晶体缺陷有的是在晶体生长过程中，由于温度、压力、介质组分浓度等变化而引起的；有的则是在晶体形成后，由于质点的热运动或受应力作用而产生。它们可以在晶格内迁移，以至消失；同时又可有新的缺陷产生。